Vés al contingut
Home Publications Suppression of three dimensional twinning for a 100% yield of vertical GaAs nanowires on silicon

Suppression of three dimensional twinning for a 100% yield of vertical GaAs nanowires on silicon

  • per
Resum de la privadesa

Aquest lloc web utilitza galetes per tal de proporcionar-vos la millor experiència d’usuari possible. La informació de les galetes s’emmagatzema al navegador i realitza funcions com ara reconèixer-vos quan torneu a la pàgina web i ajuda a l'equip a comprendre quines seccions del lloc web us semblen més interessants i útils.